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PSMN2R6-60PSQ  与  IPP024N06N3 G  区别

型号 PSMN2R6-60PSQ IPP024N06N3 G
唯样编号 A-PSMN2R6-60PSQ A-IPP024N06N3 G
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.4mΩ
上升时间 - 80ns
Ciss - 17000.0pF
Rth - 0.6K/W
Coss - 3700.0 pF
栅极电压Vgs 3V 3V,2V,4V
封装/外壳 SOT78 TO-220
工作温度 175℃ -55°C~175°C
连续漏极电流Id 150A 120A
配置 - Single
QG (typ @10V) - 206.0 nC
Ptot max - 250.0W
输入电容 7629pF -
长度 - 10mm
下降时间 - 24ns
高度 - 15.65mm
Budgetary Price €€/1k - 1.34
漏源极电压Vds 60V 60V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 326W 250W
输出电容 968pF -
典型关闭延迟时间 - 79ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
Rds On(max)@Id,Vgs 2.6mΩ@10V -
典型接通延迟时间 - 41ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥14.1762
50+ :  ¥11.6198
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN2R6-60PSQ Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN2R6-60PS_SOT78

¥14.1762 

阶梯数 价格
20: ¥14.1762
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